贵所于 2026年 6月 18日出具的“上证科审（再融资）〔2026〕121号”《关于华海清科股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的审核问询函》（以下简称“审核问询函”）已收悉。
根据贵所的要求，华海清科股份有限公司（以下简称“公司”“发行人”或“华海清科”）与国泰海通证券股份有限公司（以下简称“国泰海通”或“保荐人”）、北京市中伦律师事务所、立信会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“申报会计师”或“立信会计师”）对审核问询函所列问题进行了逐项落实，现回复如下，请予审核。
如无特别说明，本审核问询函回复所使用的简称或名词释义与《华海清科股份有限公司 2026年度向特定对象发行 A股股票募集说明书（申报稿）》（以下简称“募集说明书”）中的释义相同。
400,000.00万元，投向上海集成电路装备研发制造基地项目、晶圆再生扩产项目及高端半导体装备研发项目；（2）上海集成电路装备研发制造基地项目预计将实现税后内部收益率 19.56%，晶圆再生扩产项目预计将实现税后内部收益率12.00%。
请发行人说明：（1）公司实施上海集成电路装备研发制造基地项目、晶圆再生扩产项目的必要性及主要考虑，结合离子注入装备及减薄设备当前开发进展、报告期内实现收入等情况，说明这次募集资金是不是满足投向主业有关要求，并结合本次产业化项目各细分产品新增产能、公司生产模式等情况，说明本次新增产能是不是真的存在消化风险；（2）上海集成电路装备研发制造基地项目内部设施规划相关面积的合理性，这次募集资金是不是满足投向科学技术创新领域要求，并结合单位现在有研发基地面积、研发规划安排等说明本次建设研发制造基地的必要性、紧迫性；（3）结合高端半导体装备研发项目的研发内容、研发目标、研发进展、与现存业务的协同性等情况，说明实施本次研发项目的必要性、可行性；（4）本次募投项目各项投资支出的具体构成、测算过程及测算依据，相关测算依据与公司同类项目及同行业公司可比项目的对比情况及公允性；（5）本次募投项目效益测算中产品单价、销量、毛利率等指标选取的主要是根据，与单位现在有产品及可比公司同种类型的产品是否存在重大差异，本次效益测算是否谨慎、合理；（6）结合公司货币资金及交易性金融资产、资产负债结构等情况，说明本次融资规模的合理性；（7）本次发行董事会前六个月至今新投入和拟投入的财务性投资情况，最近一期末公司是不是真的存在金额较大的财务性投资。
请发行人结合报告期内应收账款的账龄、回款、逾期，存货结构、库龄及长库龄存货期后结转、现金流量波动等情况，补充完善公司经营相关风险提示。
请保荐机构核查并发表明确意见，请申报会计师对事项（4）-（7）进行核查并发表明确意见。
（一）公司实施上海集成电路装备研发制造基地项目、晶圆再生扩产项目的必要性及主要考虑，结合离子注入装备及减薄设备当前开发进展、报告期内实现收入等情况，说明本次募集资金是否符合投向主业相关要求，并结合本次产业化项目各细分产品新增产能、公司生产模式等情况，说明本次新增产能是不是真的存在消化风险
截至本回复出具日，公司已召开第二届董事会第二十八次会议，审议通过了《关于调整公司 2026年度向特定对象发行 A股股票方案的议案》等相关议案，本次计划募集资金总额从不超过 400,000.00万元调减至不超过 379,500.00万元，（含本数），扣除发行费用后，募集资金净额拟投入以下项目：
公司是一家拥有核心自主知识产权的高端半导体装备供应商，主要产品包括CMP装备、减薄装备、离子注入装备、划切装备、边缘抛光装备、湿法装备、晶圆再生、关键耗材与维保服务等，初步实现了“装备+服务”的平台化战略布局。
其中，CMP装备、离子注入装备属于芯片前道制程的关键工艺设备，CMP装备、减薄装备及划切、边缘抛光等磨划装备属于先进封装工艺的核心设备。
截至本回复出具日，公司已建成天津、北京两处研发制造基地，在生产分工方面：天津基地主要开展 CMP装备、关键零部件和耗材等产品的生产研发，并已建成产能达 20万片/月的晶圆再生产线；北京基地主要开展减薄等磨划装备、湿法装备等产品的生产研发。此外，受现有生产场地空间限制，离子注入装备产品的生产研发暂时位于租赁厂房内开展。
这次募集资金投资项目中，“上海集成电路装备研发制造基地项目”实施后将大幅提升 CMP装备、离子注入装备、减薄装备产品的生产能力，主要针对芯片制造前道工艺、先进封装等高端装备产品市场需求，优先用于满足长三角地区重点客户的订单需求；“晶圆再生扩产项目”实施后将大幅提升晶圆再生服务的生产能力，是基于现有晶圆再生产线的成熟工艺经验，进行的产能异地复制。公司本次计划实施上述项目的主要考虑如下：
①半导体装备产品：CMP装备、减薄等 磨划装备、离子注入装备、湿法装备； ②半导体服务业务：晶圆再生服务、关键 耗材及维保服务
已构建覆盖 12英寸、6/8英寸等全系列产 品矩阵，覆盖大硅片、芯片制造前道工艺、 2.5D/3D IC、HBM、CoWoS等先进封装的 应用场景； 6/8英寸产品兼容大硅片、化合物半导体 等多种材质，匹配第三代半导体、MEMS、 MicroLED等差异化抛光需求； 面板抛光装备可用于先进封装基板、玻璃 基板等超大尺寸工件的超平坦化加工
主要面向长三角地区客 户，主要生产 12英寸 CMP装备产品，且为主 要应用于先进制程、先 进封装场景的型号； 公司CMP装备的主要产 能位于天津基地
已完成多型号 12英寸大束流离子注入装 备产品系列的构建，产品已用于逻辑芯 片、存储芯片、功率半导体等多个制造领 域
本项目建成后将成为离 子注入装备的主要研发 生产场所，后续将在上 海基地继续推出应用于 新场景、新工艺的离子 注入装备产品系列
可广泛覆盖硅、玻璃等多种衬底的晶圆减 薄，多款产品已成功开发并完成客户产线 端验证
主要面向长三角地区客 户，生产应用于先进封 装场景的部分减薄装备 产品型号； 公司减薄装备的主要产 能位于北京基地
已形成适配 12英寸存储芯片、逻辑芯片、 主流制程工艺及 CIS、先进封装等多种工 艺场景的划切系列产品； 已形成适配 12英寸存储芯片、逻辑芯片、 主流制程工艺 12英寸先进封装工艺的边 缘抛光系列产品
应用领域广泛，公司目前主要布局先进封 装、大硅片、化合物半导体制造领域
主要面向华东及华南的客户； 在现有成熟工艺经验基础上， 预计良率及成本控制水平更好
主要面向国内，客户群体包括大硅片、集 成电路前道制造、先进封装等产业链各环 节的企业
①半导体装备产品：现有月度标准出货能 力 30-40台，CMP装备最大年产量 300 台、减薄装备最大年产量 72台、离子注 入装备最大年产量36台（位于租赁场地）； ②晶圆再生：标准产能20万片/月
新增每年 150台半导体 装备产品生产能力（规 划 90台离子注入装备、 30台 CMP装备、30台 减薄装备）
可以看出，公司本次拟使用募集资金投入的“上海集成电路装备研发制造基地项目”及“晶圆再生扩产项目”，都是以现有技术储备、产品体系及生产能力为基础，针对公司核心装备产品、核心服务能力进行的扩产投资。
除交付能力外，半导体装备供应商在产品交付前后，还需要支持客户进行生产工艺开发和量产工艺调试，因此必须建立起与客户需求相匹配的服务体系，打造完善的服务网络布局和快速响应机制。以上海为核心的长三角地区是我国集成电路产业最扎实、产业链最完整、技术最先进的区域，集中了全国超过一半的芯片制造生产线，其中包括一批公司的重点客户及潜在客户。公司目前的生产集中在北京、天津两地，业务区位布局和辐射范围的限制，不利于公司未来服务能力的提升。本次“上海集成电路装备研发制造基地项目”实施后，公司将在上海新增装备产品研发制造基地，进一步贴近长三角地区重点客户，提升客户响应能力。
晶圆再生过程涉及去膜、粗抛、精抛、清洗、检测等工序环节，工艺复杂度及技术门槛较高。上述工序使用的核心设备为 CMP装备，系公司目前主要生产的半导体高端装备产品，两类业务核心工艺技术相通。公司作为国产高端 CMP装备研发制造的龙头企业，在抛光、清洗、检测等核心技术领域具有多年积累，保障了公司晶圆再生服务能力和质量，并大幅降低公司此类服务成本。并且，公司的 CMP装备、晶圆再生服务均主要面向国内集成电路制造企业客户，凭借公司对切磨抛工艺的技术积累和一体化解决方案能力，公司具备为客户提供综合服务的能力，客户粘性相应提升。本项目的实施，有助于公司进一步推动“装备+服务”平台化发展战略的实施。
综上，公司本次计划使用募集资金投入的“上海集成电路装备研发制造基地项目”及“晶圆再生扩产项目”，有助于在现有业务基础上提升核心产品的产业化能力、解决产能瓶颈问题，并有助于公司在重点市场范围内形成区域优势，进一步提升对客户的综合服务能力，具有必要性。
2、公司离子注入装备及减薄设备开发进展、报告期内实现收入情况 （1）产品开发及量产情况
本次募投项目计划新增生产能力的半导体装备产品包括 CMP装备、离子注入装备、减薄装备等产品，均为公司已实现量产的核心半导体装备产品品类，具备稳定商业化落地场景与充足订单储备支撑。
其中，公司 CMP装备产品已打破国际厂商垄断并实现量产，产品广泛应用于逻辑、3D NAND、DRAM等主流工艺平台，截至 2026年 4月公司已实现 CMP装备产品累计出货超 1,000台。目前，公司新签 CMP装备订单中，先进制程的订单已实现较大占比，公司高端系列 CMP装备在国内多家头部客户实现先进制程节点工艺验证，并在部分国内 HBM等先进封装工艺产线上作为基准设备。
除 CMP装备外，本次计划新增生产能力的离子注入装备、减薄装备产品开发及量产情况说明如下。
离子注入装备是集成电路前道制造的核心工艺设备之一，通过离子源产生高能离子束，经筛选、加速后精准注入半导体材料晶格，实现导电类型与电阻特性的精准调控。因此，对此类产品的开发及量产，是公司完善在集成电路前道制造环节产品布局的重要举措。
目前，公司已成功开发并陆续完成客户端验证的大束流离子注入装备，根据配置不同可分为标准型、高温、低温及氢注入等不同型号，满足下游多种先进或特色工艺需求。自 2024年起，相关产品在客户端验证工作正常推进，在离子剂量精度、角度补偿、损伤控制与设备可靠性等关键性能指标方面已满足国内部分集成电路产线年起，相关产品陆续取得批量订单，目前已覆盖逻辑芯片、存储芯片、功率器件等制造企业，截至目前累计出货超过 20台。
减薄装备是先进封装等工艺制造所需的超精密加工设备，可将堆叠晶圆厚度减薄至 5μm以下，总厚度偏差达到 0.2微米以内，是 HBM等先进封装产品向更高堆叠层数及混合键合工艺推进过程中的关键工艺设备。此外，公司通过对减薄等磨划装备的开发及量产，将构建与 CMP装备配套的工艺设备体系，在先进封装领域形成覆盖切、磨、抛全流程的成套工艺解决方案，对公司完善产品布局及维持核心竞争力具有重要意义。
目前，公司已成功开发并完成客户产线端验证的主要量产机型包括：①Versatile–GP300型号，即超精密减薄抛光一体机，集成磨削减薄、化学机械抛光与清洗模块一体化设计，满足 3D IC制造、先进封装等领域中晶圆超精密减薄技术需求；②Versatile–GM300型号，即减薄贴膜一体机，可实现薄型晶圆背面超精密磨削与应力去除，兼容 8/12英寸晶圆，适配 Wafer to Wafer（W2W）和 Die to Wafer（D2W）两种主流先进封装工艺路线；③Versatile-GH300型号，即面向先进存储的高性能减薄机，可稳定实现亚微米级加工精度，总厚度偏差控制水平、产出效率等指标达到行业领先水平。公司是国产厂商中首先完成此类产品技术突破、规模化应用的企业，自 2023年起相关产品陆续完成客户验证，并自 2025年起陆续取得批量订单，客户覆盖国内头部存储芯片制造企业、先进封装企业，截至目前累计出货超过 20台。
（2）离子注入装备、减薄装备等产品报告期内的收入贡献，及未来收入贡献情况
报告期内，除 CMP装备产品外，公司离子注入装备、减薄装备产品交付量快速增长，晶圆再生及耗材维保服务收入规模大幅提升，公司已基本实现了“装备+服务”的平台化战略布局，各类业务收入贡献情况如下表所示： 单位：万元
截至 2026年 5月 31日，公司各类产品及服务的在手订单情况如下表所示： 单位：万元
可以看出，报告期内公司离子注入装备、减薄装备等产品顺利通过客户验收后，收入规模相应增长，2025年度贡献的收入占当年半导体装备产品收入总额的比例已超过 5%。此后，随着公司离子注入装备、减薄装备等产品从客户验证阶段逐渐向批量订单、量产交付阶段转变，公司依托产品稳定的性能、突出性价比和良好的售后服务优势，与国内大型集成电路制造、先进封装厂商等重点客户形成了稳固的合作关系，订单规模及产品产销量持续增长，截至 2026年 5月末离子注入装备、减薄装备等产品的在手订单占同期半导体装备产品在手订单总额的比例已超过 15%。
综上，公司本次募投项目实施后，计划新增生产能力的半导体装备产品，包括 CMP装备、离子注入装备、减薄装备，均属于有助于提升公司对集成电路前道制造、先进封装工艺场景覆盖能力的重要装备。从报告期内的收入贡献来看，CMP装备已实现大批量出货，离子注入及减薄装备已基本完成客户验证并初步形成批量订单。从在手订单情况、已完成验证的客户扩产计划情况、意向客户产品验证工作推进情况来看，预计该等产品未来的收入贡献规模将进一步提升。因此，本次使用募集资金投入的“上海集成电路装备研发制造基地项目”，将扩大公司核心半导体装备产品的生产能力，符合募集资金投向主业的相关要求。
3、结合本次产业化项目各细分产品新增产能、公司生产模式等情况，说明本次新增产能是否存在消化风险
公司的半导体装备产品，生产环节以装配、测试为主，包括通用标准模块装配、整机装配、全流程检测等。该等生产过程中不存在对固定产线的需求，公司采用柔性生产模式，即根据不同型号产品的装配和测试需求，划分固定面积的装备工位、测试工位并按照生产标准配备固定数量的生产人员。因此，在场地及人员充足的情况下，公司可根据实际订单数量灵活调整工位布局及工作时长，不存在产能指标，无法核算产能利用率。
受上述生产模式决定，公司半导体装备产品的生产要受限于生产场地面积。近年来，公司持续优化生产资源配置、改进工艺流程、深挖产能，现有天津、北京基地的厂区空间利用率已达高位，半导体装备产品合计月度标准出货能力 30-40台（因不同型号产品尺寸差异，占用的空间不同，导致标准出货能力存在波动范围），其中：天津基地主要用于生产 CMP装备，月度标准出货能力达20-25台；北京基地主要用于生产减薄等磨划装备、湿法装备，月度标准出货能力达 10-15台，其中规划用于生产减薄装备的空间每月最多约能生产 6台。2025年度、2026年一季度，公司半导体装备产品产量分别达 400台、90台，发货量分别达 392台、82台，实际生产场地占用率始终处于 90%以上，产量处于高位运行状态。根据目前在手订单及生产排产情况，预计 2026年第四季度将出现月均出货量超过 60台的交付压力，且预计 2027年全年月均出货量仍将保持高位运行状态。
除半导体装备产品，公司的晶圆再生服务主要依托标准化产线开展，根据产线最大产出速率，存在产能、产能利用率指标。公司现有晶圆再生产线，全部位于天津基地内，首期 10万片/月产能系于 2023年 7月建成投产，公司建成产能的产线，此后公司持续投入资金增加产能，至 2025年末达到现有产能 20万片/月，在此过程中该产线持续保持较高的产能利用率水平。最近三年一期，公司现有晶圆再生产线%，并且天津基地内已无剩余场地用以进一步扩大晶圆再生产线规模，产能利用率趋近饱和。
（2）“上海集成电路装备研发制造基地项目”及“晶圆再生扩产项目”涉及的细分产品新增产能情况、预计产能消化情况
本次募投项目中，产业化类项目将主要增加离子注入装备、CMP装备、减薄装备、晶圆再生服务等 4类细分产品的生产能力，具体情况如下表所示： 单位：亿元
CMP装备是集成电路前道制造过程中的关键工艺设备之一，是光刻、刻蚀、薄膜等其他关键工艺能够重复进行的重要前提。伴随先进逻辑及先进存储芯片制造工艺升级，CMP工艺步骤数、产线中的设备用量将进一步提升：随着 FinFET和 GAAFET架构的引入，三维结构对晶圆平整度提出了更高要求，生产流程中的 CMP工艺步骤数大幅增至 35-50步。
同时，随着应用于 HBM、CoWoS等先进封装工艺的快速发展，CMP装备可用于去除多余铜、阻挡层、抛光氧化层，并实现待键合界面的极高平整度，与 TSV金属化、键合等工艺流程密切相关，也是实现芯片堆叠技术、保障高密度器件稳定性与可靠性的关键工艺设备。
根据 SEMI数据，近年来，全球及中国 CMP装备的市场规模均呈现持续增长的趋势，中国 CMP装备市场规模增速显著高于全球平均水平，销售额于 2022年达到 6.7亿美元，预计 2025年将达到 12.5亿美元、2027年将达到 14.7亿美元，2022-2027年复合年均增长率约 17.0%。未来，随着国内半导体产业链的持续完善、下游集成电路制造产能的积极扩张、集成电路制造工艺水平的提升及国产设备替代进程的不断推进，国内 CMP装备市场规模具备广阔的长期增长空间。
目前，公司在国内 12英寸晶圆生产端的 CMP装备产品市场占有率处于领先地位，在国内部分头部集成电路制造企业的采购量中占有率最高可达到 90%以上，在国产 CMP装备出货总量中占比达 90%以上。并且据公开信息显示，公司产品占有率较高的部分客户未来 2~3年产能扩张计划明确，例如长鑫存储、长江存储、新芯股份、中芯国际、华虹公司等，合计将新增晶圆产能超过 50万片/月。
因此，在 CMP装备市场规模持续增长的过程中，公司凭借领先的市场地位，相关产品订单规模预计将进一步增长。
截至 2026年 5月末，公司在手订单对应 CMP装备产品共计 307台，根据公司与下游重点客户沟通的未来扩产计划，预计至 2028年上海基地建成时点，公司每年交付的 CMP装备产品将有望超过 400台。目前公司现有 CMP装备产品生产全部集中于天津基地，月度标准出货能力为 20-25台/月（即每年最大交付能力为 300台），已不足以支撑现有订单需求，且未来交付缺口将进一步扩大。
本次“上海集成电路装备研发制造基地项目”实施后，计划新增每年 30台 CMP装备产品生产能力，与未来短期内公司产品交付需求预期一致，产能消化具备可行性。
离子注入装备与光刻、刻蚀、薄膜沉积等均为集成电路前道制造的关键工艺设备，主要用于实现掺杂工艺，通过设备的加速和引导，将需要掺杂的离子以束流形式射入硅片材料，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而形成导电结构。伴随着芯片尺寸逐渐微缩，为制备先进制程中的超浅结，低能大束流离子注入机逐渐成为市场主流，市场占比约为 50%-60%。
根据 IC Insights数据，离子注入装备在集成电路产线投资中的价值规模占比接近 CMP设备。但同时，离子注入设备是目前除光刻设备外国产化率最低的设备品类，根据 TrendForce集邦咨询数据，国内集成电路制造领域内，面向成熟制程的离子注入设备国产化率不足 20%、面向先进制程的离子注入设备国产化率不足 5%。包括公司在内的多家国产厂商，目前仍处于客户验证及批量化订单的 初期阶段，未来均有实现进口替代的较大空间。 本次“上海集成电路装备研发制造基地项目”实施后，公司离子注入装备产 品生产能力为每年 90台。截至 2026年 5月末，公司在手订单对应离子注入装备 产品共计 24台，并且公司已完成离子注入产品验证的客户目前尚在沟通落地的 明确意向订单超过 90台。此外，公司还在推进离子注入装备其他重点客户的验 证，相关验证工作进展正常，未来客户群体进一步扩大后，订单规模有望进一步 增长。可以看出，公司本次计划使用募集资金扩大离子注入装备产品生产能力， 与现有在手订单及明确意向订单规模匹配，产能消化具备可行性。 3）减薄装备市场空间及预计产能消化情况 在“后摩尔时代”，传统依靠晶体管几何缩微形式提升半导体性能的可持续 性大幅下降，芯片堆叠技术成为绕开先进制程瓶颈、持续提升芯片性能的关键可 行路径。减薄装备是芯片堆叠技术的关键核心装备，通过去除晶圆表面或背面的 一定厚度，用以保障多层堆叠结构的厚度均匀性与散热效率。以 HBM制造工艺 为例，随着向更高堆叠层数及混合键合工艺推进，在晶圆整体厚度相对固定的情 况下，HBM3的堆叠层数为 7-12层，但 HBM4的堆叠层数已提升至 15-20层， 堆叠层数的大幅增加，使得对单层晶圆厚度的要求持续提升，对减薄工艺应用的 步骤数量大幅增加。 根据 QY Research数据，全球减薄机市场销售额于 2025年达到 11.3亿美元，预计 2031年将达到 17.0亿美元，2025-2031年复合增长率为 7.1%。国内减薄设备市场规模于 2025年达到约 30亿元，后续随着 3D NAND、HBM等产能持续扩张及制造工艺不断升级，预计 2026年有望达到约 50亿元。公司是国产厂商中首先完成此类产品技术突破、规模化应用的企业，在 3D IC、HBM等高端领域形成先发优势，产品性能指标达到国际先进水平，国内市场占有率仅次于 Disco、东京精密，并且预计未来两年内有望快速提升，存在较大的市场空间。
截至 2026年 5月末，公司在手订单对应减薄装备产品共计 39台，公司已完成减薄装备产品验证的客户已申请豁免披露，目前尚在沟通落地的明确意向订单超过 60台。此外随着国内先进封装企业工艺逐渐成熟，公司正在推进减薄装备产品在新芯股份、物元半导体等其他重点客户的验证，未来的客户群体进一步扩大后，订单规模有望进一步增长。目前公司现有减薄装备产品生产全部集中于北京基地，包括减薄装备、湿法装备及边抛等其他磨划装备合计的月度标准出货能力为 10-15台/月，其中规划用于生产减薄装备的空间每月最多约能生产 6台（即减薄装备每年最大交付能力约为 72台），公司在保障湿法装备、边抛等其他磨划装备交付能力的情况下，减薄装备产品交付能力已不足以支撑现有订单需求，且未来交付缺口将进一步扩大。本次“上海集成电路装备研发制造基地项目”实施后，计划新增每年 30台减薄装备产品生产能力，与未来短期内公司产品交付需求预期一致，产能消化具备可行性。
晶圆测试片（控片、挡片）属于集成电路制造过程中的消耗材料，在各类型芯片研发与量产过程中，大量应用于机台监控、工艺调试和良率评估。因此，晶圆测试片的需求规模，与下游整体晶圆产能、产量的变化趋势一致，具有较强的稳定性和可持续性，且随着芯片制程工艺的提高，用量需求也越来越大。晶圆再生业务，可以使测试片重复使用 8-10次，从而有效降低集成电路制造企业 70%以上的测试成本，因此成为下游产线控制运营成本的刚性需求。根据 SEMI预计数据，2026年中国大陆地区 12英寸晶圆产能增长至 321万片/月，按照再生晶圆数量占晶圆总产量 30%的行业特征来测算，国内 12英寸再生晶圆的市场空间可以达到 130万片/月以上。
目前，公司晶圆再生服务已完成在国内头部集成电路制造企业的大部分产线端验证，根据公司与国内主要客户的沟通情况，2025年对公司晶圆再生订单需求已超过 50万片/月。但是，受限于现有晶圆再生产能规模（20万片/月），公司现阶段只能优先保障重点客户订单的交付能力，现阶段已暂时不再承接新客户订单，且部分客户已通过与公司签署长期合同形式锁定公司晶圆再生产能。
未来，随着下游客户不断扩产，对晶圆再生服务需求量将进一步提升。据公开信息显示，公司晶圆再生业务主要客户已披露的近期新增产能计划如下表所示。
根据与国内主要客户的沟通情况，2026年对公司晶圆再生订单需求预计将超过65万片/月。
投资者问答中表示 2026年资本开支与 2025年相比大 致持平（约 81亿美元）； 根据同行业上市公司披露，“12英寸芯片 SN1项目”规 划新增产能 2.9万片/月，投资规模约 80.59亿美元
根据同行业上市公司披露，“华虹制造（无锡）项目— —12英寸特色工艺生产线万片/月， 投资规模约 61.89亿美元
根据同行业上市公司披露，“晶合集成四期项目”规划新 增产能 5.5万片/月，投资规模约 355亿元，预计 2026 年四季度投产
根据公司上市申请相关文件：“存储器晶圆制造量产线 技术升级改造项目”拟投入75亿元（其中设备投入46.66 亿元），“DRAM存储器技术升级项目”拟投入 180亿元 （其中设备投入 174亿元），两项目预计于 2028年建 设完成
根据武汉市人民政府报道，长存三期项目规划新增产能 10万片/月，投入注册资本金 207.2亿元，预计将于 2026 年建成
根据公司上市申请相关文件：“12英寸集成电路制造生 产线三期项目”规划新增产能 5万片/月，其中三维集成 相关产能 4万片/月，投资规模 280亿元，预计建设周 期 2年
根据公司上市申请相关文件：“三维多芯片集成封装项 目”规划新增超高密度互联三维多芯片集成封装产能 0.4万片/月，投资规模 30亿元，预计 2026年末建成
此外，截至 2026年 5月末，公司晶圆再生在手订单金额已达到 1.48亿元，对应晶圆再生产量超过 150万片。本次“晶圆再生扩产项目”实施后，计划新增20万片/月晶圆再生产能，基于现有客户订单需求及未来进一步增长的采购需求，新增产能消化具备可行性。
综上，公司现有 CMP装备、离子注入装备、减薄装备产品的生产能力已不足以保障在手订单及未来短期内新增订单的交付能力，现有晶圆再生产能已不足以保障公司承接新的客户订单，本次“上海集成电路装备研发制造基地项目”及“晶圆再生扩产项目”将主要提升上述产品及服务的生产能力，基于在手订单、意向订单及公司对市场需求的判断，预计项目实施后新增产能消化不存在重大不确定性。
（二）上海集成电路装备研发制造基地项目内部设施规划相关面积的合理性，本次募集资金是不是满足投向科技创新领域要求，并结合公司现有研发基地面积、研发规划安排等说明本次建设研发制造基地的必要性、紧迫性 回复：
1、集成电路装备研发制造基地项目内部设施规划相关面积的合理性 公司本次“上海集成电路装备研发制造基地项目”计划建设的房屋建筑物及建筑面积情况如下表所示：
近年来，包括公司在内的国产半导体设备厂商同时面对下游市场需求持续增长的空间，及先进制程芯片、先进封装工艺对半导体设备性能和稳定性日益提升的挑战，均持续加大产业化布局和产能投入，例如：
①根据中微公司定期报告披露，目前正在建设中的产业化项目位于上海、广州、成都等地，建筑面积合计超 40万平方米，预计至 2030年生产场地合计面积将增长至 85万平方米；
②根据北方华创募集说明书，目前建设中的半导体装备产业化基地扩产项目（四期），新增建筑面积约 36.50万平方米；
③根据拓荆科技募集说明书，目前建设中的高端半导体设备产业化基地建设项目，新增建筑面积 15.60万平方米；
④根据中科飞测募集说明书，目前建设中的上海高端半导体质量控制设备产业化项目，新增建筑面积 9.87万平方米。
公司本次计划建设的上海基地，建筑主体部分用于生产活动，与公司自身装备产品生产能力提升需求匹配，与国内半导体设备厂商整体面临的扩产需求匹配。
除生产相关建筑物外，上海基地内其他建筑物相关面积规划的合理性分析如下： （1）1号楼规划情况分析
根据项目设计方案，上海基地 1号楼分为主楼及裙楼，其内部规划情况如下表所示：
前台、接待、会议及洽谈室：配备会议设施， 根据公司保密要求，用于初期商务接洽、招 投标等需要信息隔离的事项
与 1号楼裙楼的二层联通，共同构成员工食 堂，另有工会活动等空间，供生产、研发、 管理等职能的上海基地全体员工使用
档案及办公管理：集中存储和管理上海基地 内研发项目的技术文档、实验数据、专利资 料等，配备IT数据中心设施支持研发活动， 集中管理研发办公相关物资
①配备办公设施，供研发人员办公使用； ②为技术预研类项目提供实验室，为产品开 发类项目提供测试场地（针对整机测试通常 借用厂房空间），相关设备后续根据研发需 求购置； ③提供会议、培训场地，供日常研讨、研发 培训等
配备办公、会议设施，用于全资子公司华海 清科（上海）及芯嵛公司管理人员、综合职 能人员办公
按照各层规划用途，1号楼可以划分为用于研发活动的区域、用于经营管理及基地整体配套的区域两类：
分布在 1号楼主楼三层至九层，合计建筑面积 17,097平方米，对应计划投资总额为 9,295.48万元，在 1号楼主楼整体规划中占比为 69.50%，在基地整体地上建筑总面积中占比为 15.70%。
近年来，公司研发人员规模增速较快，现有研发办公、测试空间日趋紧张、人均研发面积持续压缩，为匹配人员扩容及技术研发需要，公司亟需扩充、升级研发场地，完善研发硬件配套，保障技术创新工作有序开展，具体分析参见本问题回复“3、结合公司现有研发基地面积、研发规划安排等说明本次建设研发制造基地的必要性、紧迫性”部分相关内容。
本次计划建设的 1号楼其他区域功能包括：①主楼及裙楼一层主要用于对外接待、品牌及产品展示；②主楼及裙楼二层主要用于员工食堂、员工活动等生活配套；③裙楼三层主要用于大型会议、新品发布等多功能用途；④主楼十层主要用于综合职能和管理人员办公及会议。该等区域合计建筑面积 14,204平方米，在基地整体地上建筑总面积中占比仅为 13.04%。
本次上海基地建成后，将作为公司在长三角地区对外宣传推广的窗口。本次计划建设的对外接待、展示相关空间和设施，将承载客户洽谈、商务交流、行业研讨、新品发布等功能，通过实景化、场景化展示，有助于客户直观感受公司产品性能、工艺品质、适配场景与使用价值，显著降低决策成本、提升转化效率。
同时，本次上海基地建成后，将成为全资子公司华海清科（上海）及芯嵛公司的经营场所，基地投入运营后预计将招募生产人员、研发人员、销售及工艺调试人员、行政管理人员总计超 1,000人。考虑到公司处于典型的技术密集型行业，对于专业人才的依赖程度较高，人才团队是公司生存和发展的重要基石，公司在后续经营过程中将继续以吸引和留住人才为宗旨，注重员工福利的提升。但是，由于上海基地选址位于上海市浦东新区川沙新镇，地处上海外环线以东，区域内以产业园区、农村片区为主，员工通勤距离较远、周边生活配套较少。因此，公司规划该基地建成后，提供包括员工食堂、员工班车在内的多项福利措施，并将根据工会管理相关法律法规为员工配套建设活动场地、配套设施。
综上，公司本次计划建设的“上海集成电路装备研发制造基地项目”，相关规划不仅要考虑用于生产、研发活动的配套场地及设施，还需要以总部基地的标准规划对外接洽、对内管理的相关功能，本次上海基地 1号楼用于经营管理及基地整体配套的相关区域，属于对企业运营、宣传、员工管理及服务的必要保障。
该等三处建筑主要规划为门卫、收发室等厂区附属配套建筑，合计建筑面积仅 250平方米，占基地地上总建筑面积的比例仅为 0.23%，且计划投资规模较小，主要用于满足园区人员车辆出入管理、物资收发等基础运维管理需要，配套规模符合厂区日常运营的实际需求，具备合理性。
①停车区域面积共计 14,920平方米，对应固定停车位 380个，用于保障员工通勤、公司经营配套需求；临时停车位 20个，用于满足访客接待、临时物流停靠等弹性使用需求。上述停车区域规划主要依据项目所在地执行的《上海市建筑工程交通设计及停车库（场）设置标准》（DG/TJ 08-7-2021）。根据该标准，公司上海基地工程建设应当按照每百平米生产厂房及物流仓储面积配备至少 0.3个停车位、每百平米研发办公面积（不含园区公共配套空间）配备至少 0.8个停车位进行规划。公司根据上述标准计算，并与项目所在地规划管理部门报告后，确认上海基地应配备停车位不少于 380个，并在此基础上预留少量临时停靠空间，具有合理性。此外，停车位面积主要根据《城市停车规划规范》（GB/T 51149-2016）进行规划，有关要求为“地下机动车停车库与地上机动车停车楼标准车停放建筑面积宜采用 30~40㎡”，本次上海基地规划的地下停车区域单位停车位的平均面积为 37.30平方米，符合上述规范要求。
②地下设备用房、人防站房及出入口通道面积共计 9,630平方米，主要系根据项目所在地规划管理部门对建设方案审批过程中的相关要求，进行的规划设计。
此外，上海基地规划的锅炉房、制冷站、纯水机房、工艺冷却水机房、消防水泵房等各类配套设备用房均需布置于地下空间，保障基地生产办公、消防安防、工艺供水等系统稳定运转。
综上所述，公司本次计划建设的上海基地，主要地上建筑面积用于生产、研发相关活动，用于企业运营、宣传、员工管理及服务的地上建筑面积占比较小，并且属于未来主要经营主体华海清科（上海）、芯嵛公司生产经营的必要场地设施。公司本次计划建设的上海基地，地下建筑面积系根据项目所在地建筑标准及规划主管部门相关要求进行的设计。该基地相关建筑面积规划具有合理性。
本次“上海集成电路装备研发制造基地项目”实施后，公司将在上海市新建高标准洁净厂房、自动化库房、测试实验室等设施，打造高端集成电路装备产业基地。根据规划，该项目建成后的地上建筑面积中，71.03%的部分直接用于生产活动、15.70%的部分直接用于研发活动、其余地上建筑面积主要用于经营管理及基地整体配套，均与公司未来在长三角地区开展生产、研发、经营活动密切相关。
该项目建成后，公司将新增年产 90台离子注入装备、30台 CMP装备、30台减薄装备的生产能力，缓解现有天津、北京基地的生产瓶颈问题，提升核心产品的交付能力。同时，该基地将成为公司新的研发活动场所，有助于公司利用长三角地区完善的产业链体系及人才集聚优势，增强公司对半导体装备产品相关技术预研、新品研制、迭代开发能力。
综上，“上海集成电路装备研发制造基地项目”不会导致公司涉及新技术、新产品的情况，不会导致公司业务超出原有技术体系范围、产品类别范围，项目建成后绝大部分场地面积均用于公司主营业务的生产活动和研发活动，有助于公司积累更多技术和工艺经验，并丰富产品系列，从而更好适应下游工艺升级需求，并实现长期持续稳定发展，符合募集资金投向科技创新领域的要求。
3、结合公司现有研发基地面积、研发规划安排等说明本次建设研发制造基地的必要性、紧迫性
报告期内，从 2023年 12月末至 2026年 3月末，公司研发人员数量从 453人增至 928人，增幅显著、增速较快，直接造成研发办公、测试空间日趋紧张、人均使用面积持续压缩。截至 2026年 3月末，公司现有研发人员办公场地位于天津、北京、上海，其中上海地区研发空间现为租赁房屋，具体情况如下表所示：
根据华海清科（上海）、芯嵛公司未来研发规划（不限于两家公司于本次募投项目“高端半导体装备研发项目”中承担的课题）以及考虑其他产品线未来在上海设置研发团队的需求，未来拟引进研发人员 350人，并将上海现有 81名研发人员统一从租赁场地内迁入上海基地。
因此，预计“上海集成电路装备研发制造基地项目”实施后，公司合计研发人员数量将增长至 1,278人、合计研发面积将达到 35,595平方米，整体人均研发面积将达到 27.85平方米；上海基地研发人员数量将增长至 431人、研发面积将达到 17,097平方米，人均研发面积将达到 39.67平方米。公司未来人均研发面积，与同行业上市公司相比情况如下表所示：
集成电路专用设备行业具有“一代器件、一代设备、一代工艺”的发展特点，即新一代电子元器件等终端产品的开发依赖集成电路制造能力的提升，制造企业的生产加工能力又依赖于新一代设备产品性能，而设备性能取决于前沿技术原理的突破或先进工艺的实现。
目前，国内下游制造工艺水平的不断提升，已经对公司现有型号产品的性能，例如对抛光分区压力控制精度、清洗效率及洁净度、超精密减薄厚度均匀性控制、离子束流注入精度、整机稳定性等，提出了更高要求，公司需要持续投入研发资金开展产品迭代升级。此外，随着下游工艺技术提升，不断出现更先进的制程工艺、更丰富的半导体设备应用场景，公司现有产品型号尚不能对其中部分工艺环节实现完美适配，公司需要持续投入研发资金丰富产品系列、提高产品对应用场景的覆盖度。
在加快推进研发工作的过程中，公司亟需进一步扩充富有技术创新力的研发队伍。目前，公司现有的研发空间紧张，导致扩充研发团队、购置并安装测试和试验相关设备的空间不足。随着公司技术研究和产品开发逐渐深化和延伸，研发工作量及难度提升，现有研发场地、团队规模已不足以满足研发需求。因此，整合现有的资源、完善研发环境、加大吸引行业内优秀技术人才的力度，是公司未来可持续发展的必然选择。
综上，通过本次“上海集成电路装备研发制造基地项目”的建设，规划研发办公、测试、研讨相关场地并配备高性能的设备设施，有助于公司未来充分利用长三角地区完善的产业链体系及人才集聚优势，打造公司科技创新主阵地，具有充分的必要性，也是公司进一步提升研发团队和研发能力的紧迫需求。
（三）结合高端半导体装备研发项目的研发内容、研发目标、研发进展、与现有业务的协同性等情况，说明实施本次研发项目的必要性、可行性 回复：
公司本次“高端半导体装备研发项目”根据实施目的可以划分为三类，各类型子项目实施的必要性分析如下：
（1）持续推进现有产品迭代升级、丰富型号系列，适应下游工艺升级需求 本项目中，子项目“先进制程集成电路前道制造高端设备及工艺技术研发”及“先进封装工艺设备及工艺技术研发”实施后，部分资金将用于 CMP装备、减薄装备、离子注入装备等产品的现有型号迭代升级、新产品研制开发工作。
集成电路专用设备行业具有““一代器件、一代设备、一代工艺”的发展特点，即新一代电子元器件等终端产品的开发依赖集成电路制造能力的提升，制造企业的生产加工能力又依赖于新一代设备产品性能，而设备性能取决于前沿技术原理的突破或先进工艺的实现。公司需要以更高性能、更高产能、更低成本为突破方向，积极对行业前沿技术进行预研和储备、对现有型号产品进行迭代开发、对尚未覆盖工艺环节开展新品研制。
上述““迭代开发”工作，是基于公司现有品类的装备产品，以现有硬件架构、软件系统为基础，通过特定模块升级、控制系统优化及整机调试，实现产品性能提升，从而保障公司紧跟下游集成电路先进工艺产线的开发验证进度。
上述““新品研制”工作，是根据下游市场需求，针对同一类别的半导体设备开发不同型号产品，从而提升对更多样工艺环节的覆盖能力。即使同一类别的半导体设备，使用在产线上不同工序时，由于工艺需求和产能要求不同，设备的功能及参数可能存在一定差异，并且不同集成电路制造企业、封装企业之间的工艺特色也存在较大区别。因此，随着下游工艺水平不断提升，会出现公司现有产品型号不能对其中部分工艺环节完美适配的情况。
因此，本次““高端半导体装备研发项目”的实施，不会导致公司业务超出原有技术体系范围、产品类别范围，并且有助于公司积累更多技术和工艺经验，并丰富产品系列，从而更好适应下游工艺升级需求，并实现长期持续稳定发展。
本项目中，子项目““先进装备关键零部件及耗材研发”实施后，公司将构建适配公司装备产品的关键零部件及耗材体系，提升产品开发及客户服务能力。
半导体设备中，关键零部件对于保障设备性能和可靠性、降低设备生产成本、稳定设备交付周期具有重要作用。随着公司订单规模的持续增长，通过自行开展材料配方优化并攻关精密成型加工、耐磨损及耐腐蚀性能提升等关键技术，开展国产化替代适配验证与可靠性测试，建立自有零部件、耗材与整机的适配体系，有助于公司保障装备产品的品质和稳定性、避免对外依赖、降低生产成本及供应链风险。
此外，随着公司已交付至客户端产线中累计运行的设备数量不断增加，为客户持续提供关键耗材更新，并定期进行升级，是支持客户提高产出效率的重要服务内容，也是公司稳定增长的服务收入来源。
随着公司业务规模的快速扩张，公司技术研究和产品开发逐渐深化和延伸，研发工作量及难度提升，研发所需的硬件设备种类增加、功能要求提升。此外，公司多年产品开发及工艺验证过程中，积累了大量技术原理、工艺参数等，通过构建覆盖研发全流程的信息化管理系统，形成成熟的 AI研发辅助应用体系，公司将极大提升对现存技术储备的利用率。本次募投项目的实施，将通过研发软硬件投资、研发团队扩张等形式，改善公司研发、测试环境，提供模拟运行、设计优化等多种研发手段支持，进一步提升公司研发工作效率及科技创新能力。
公司的产品研制及商品化流程主要包括规划和概念阶段、设计阶段、开发实现阶段（Alpha和 Beta）、验证确认阶段、量产及生命周期维护阶段，具体包括： （1）规划和概念阶段
本阶段是指研发部门以技术创新为导向，结合行业技术动态及市场需求提出新产品或新技术定位与构想，对比行业技术现状及未来技术发展趋势及确定最适合的研发方案。研发部门项目负责人组织项目评审委员会及研发各模块部门、生产、采购等职能部门，对新技术、新产品的功能及性能指标要求、技术难点、总体设计方案、开发周期以及风险等进行讨论、评审并立项。
项目负责人负责组织研发各部门根据总体设计方案，确定产品级详细技术规格并对设计任务进行分解，制定任务子计划及各项任务指标，包括业务指标及技术性能指标，以满足设计需求。详细设计方案及计划评审通过后进行具体任务的设计。
Alpha阶段主要是研发部门按照上一阶段确定的设计方案进行产品或技术的实现及验证，根据需求进行模块或单元的装配、测试。本阶段形成的模块或机台称为 Alpha机，测试部门根据功能及性能要求对模块或 Alpha机进行测试，研发部门进行改进，直至满足 Alpha阶段通过标准。Alpha机已经满足基本的功能及性能要求，可供下一步工艺开发、技术完善、持续稳定性测试以及迭代开发。
Beta阶段对前一阶段的模块或机台进行持续测试及改进。工艺部门对 Beta机进行工艺适应性开发验证，同时对模块或机台进行稳定性测试，并反馈问题、有针对性的进行技术完善，直至满足所有的设计要求。本阶段形成的模块或机台称为 Beta机。该阶段也可根据需要将模块或机台送往目标客户以完成大生产线的连续性考核验证，同时收集客户反馈问题并进行改进。
本阶段对项目进行最终的验收测试、评审，由项目负责人组织按照既定的计划进行验证测试，包括工艺以及客户现场环境的运行测试等，旨在确认设计开发工作满足预期的需求。测试过程问题相应研发人员进行及时研究、整改，出具最终测试报告或验收测试报告。该阶段完成后标志着机台开发完成，可批量进入客户大生产线）量产及生命周期维护阶段
本阶段是在 Beta机开发完成的基础上，根据市场及客户的需求进行批量生产交付，标志着机台技术已经成熟。为了保证产品技术及工艺的先进性，研发部门会在产品量产过程及全生命维护阶段对其进行持续的技术升级与工艺优化，并确保最新的研发成果在产品上实现应用。
3、“高端半导体装备研发项目”的研发内容、研发目标、研发进展及项目实施的可行性
1-1 CMP装备迭代升级及 先进工艺提升 攻克设备检测、精准控制、 先进清洗及终点检测等技 术瓶颈，形成成熟稳定的 配套工艺方案，开展抛光 压力精准调控、超净清洗 工艺优化、终点检测算法 迭代等深度研究，完成工 艺与设备的一体化适配验 证，实现现有型号设备产 品性能提升，并根据市场 需求推出应用于先进逻 辑、先进存储、先进封装 及 3D IC等高端制造工艺 的新型号设备，强化产品 技术壁垒与市场竞争力， 为拓展高端市场奠定坚实 基础。
1-1-1 面向先进逻 辑、先进存储的 12 英寸化学机械抛光 技术与装备技术迭 代开发。
具备丰富的 12英 寸晶圆 CMP装备 设计研发经验，对 抛光、清洗和传输 等成熟模块的结 构和布局架构有 丰富的开发经验； 已针对先进逻辑、 存储与先进封装 等代表未来产业 发展方向的客户 进行充分需求调 研。
整体处于研发设计阶段： 已完成先进逻辑、先进存 储对于 CMP技术与装备 的市场调研和需求分析； 已完成相关资源筹备与 团队组建，完成项目立 项； 已进入项目关键技术研 发设计阶段。
1-1-2面向先进逻 辑、先进存储的新 型晶圆边缘抛光技 术与装备产品迭代 开发。
已提前布局晶圆 边缘精密抛光装 备技术攻关，进行 了抛光和量测的 功能测试模块开 发，搭建了晶边抛 光验证平台与晶 边量测系统试验 平台，获得了符合 预期的实验数据 及工艺验证结果。
整体处于规划和概念阶 段： 已完成先进逻辑、先进存 储对于晶圆边缘抛光技 术的市场调研和需求分 析； 已完成相关资源筹备与 团队组建，完成项目立 项； 即将进入项目关键技术 研发设计阶段。
1-2 大束流及高能离子注 入装备研发 重点攻关大束流离子源稳 定输出、高能加速管精准 控能等核心技术，研发多 维度束流扫描与均匀性调 控系统，突破先进制程与 化合物半导体应用瓶颈， 研发出适用于先进制造工 艺的大束流及高能离子注 入装备，关键指标达国际 先进水平，并通过 3D NAND、先进逻辑及碳化 硅功率器件领域产线 先进大束流 离子注入装备研发 及迭代升级。
1、离子源、束流系 统、加速器传送及 工艺系统等核心 系统有技术基础 与科研经验。 2、多台满足 28nm 制程要求的设备 经客户端验收及 长期应用数据积 累，已掌握充足的 客户反馈与需求， 为先进制程的离 子注入装备开发 提供了坚实的数 据支撑。
整体处于研发设计阶段： 已完成部分前道制程对 于大束流离子注入工艺 的市场调研和需求分析； 已完成相关资源筹备与 团队组建，完成项目立 项； 正处于能量范围、剂量精 度、束流稳定性、角度控 制等关键技术研发以及 整机总体设计阶段。
1-3 中束流离子注入装备 研发 攻克高压直流加速器、电 场精准扫描、高功率束流 温控等核心技术瓶颈，突 破注入精度控制、整机软 件系统开发等难点，并完 成关键零部件国产化替 代，研发出适用于先进制 造工艺的中束流离子注入 装备，并通过集成电路产 线 先进中束流 离子注入装备研发 及迭代升级
离子源、束流系 统、加速器传送及 工艺系统等核心 系统有技术基础 与科研经验。
整体处于研发设计阶段： 已完成部分前道制程对 于中束流离子注入工艺 的市场调研和需求分析； 已完成相关资源筹备与 团队组建，完成项目立 项； 束流性能和工艺参数、数 据采集系统、运动控制系 统方案等总体方案设计 中。
2-1 先进减薄装备研发 在减薄领域同步推进两大 核心方向研究工作：一是 对现有减薄装备进行迭 代，优化机械结构与控制 算法；二是拓展高性能减 薄装备新品类，攻关新型 减薄工艺与适配技术。全 面提升设备减薄加工精度 与运行稳定性，形成覆盖 多领域的减薄装备产品矩 阵，并应用于先进封装、 先进存储、化合物半导体 等关键制造领域。
2-1-1 面向 3D IC、 先进封装的高性能 减薄装备研发及迭 代升级
12英寸减薄装备 已实现量产，多家 客户量产验证通 过，掌握超精密磨 削控制、CMP多区 压力智能系统、工 艺全过程稳定控 制等核心技术。
整体处于实现阶段： 已完成 3D IC、先进封装 对先进减薄工艺的市场 调研和需求分析； 已完成相关资源筹备与 团队组建，完成项目立 项； 已完成总体方案设计，完 成减薄磨削、主轴等关键 模块研发，完成极限薄片 减薄测试验证，以及整机 装备研制。
2-2先进划切装备研发 重点开展晶圆边缘特定形 貌调控机理与缺陷形成机 制的深度研究，攻克超精 密多轴联动加工、动态误 差自动补偿、产品特征在 线视觉检测等核心技术瓶 颈，成功研制出多种类高 性能晶圆边缘修整装备， 并开发适配的多种类晶圆
2-2-1 面向先进存 储、3D IC的下一代 高性能晶圆边缘切 割技术与装备产品 迭代研发
12英寸单工作台 的边缘修整机型 发往多家客户开 展工艺验证，切 割、清洗、视觉、 控制方面有一定 技术积累。
整体处于研发设计阶段： 已完成 3D IC、先进封装 对晶圆边缘切割工艺的 市场调研和需求分析； 已完成相关资源筹备与 团队组建，完成项目立 项； 已完成总体方案设计，切 割、传输等核心部件设计 中。
边缘修整装备与成套工艺 方案，满足先进集成电路 制造对晶圆边缘形貌的严 苛修整需求。
基于 GP和 GM的 机型研发，研发团 队已具备减薄机 相关硬件研发条 件，并掌握超精密 磨削控制、工艺过 程控制等核心技 术，针对不确定项 提前进行相关实 验验证，且技术验 证上也具备丰富 的经验。
整体处于实现阶段： 已完成 3D IC、先进封装 对 TAIKO工艺的市场调 研和需求分析； 已完成相关资源筹备与 团队组建，完成项目立 项； 已完成 Alpha样机研制， 样机工艺测试与优化中。
3-1实现核心零部件及耗 材系列化研制 重点研发保持环、超精密 轴承、高稳定真空阀等关 键零部件及耗材，攻关材 料配方优化、精密成型加 工、耐磨损/耐腐蚀性能提 升等技术瓶颈，完成相关 零部件及耗材在公司生产 的 CMP、离子注入、磨划 等核心整机产品的国产化 替代适配验证与可靠性测 试，确保相关这类的产品关键性 能指标达国际同类产品先 进水平，并实现批量供应。
设计理论相对成 熟，仿真条件相对 完善； 公司在12寸5/7分 区抛光头开发过 程中积累了一定 的开发经验，并总 结出优化方向； 具备气膜相关静 态仿真分析基础； 已构建主轴、陶瓷 吸盘、磨划材料等 零部件的理论体 系。
整体处于研发设计阶段： 已完成高端集成电路 CMP、减薄等装备对关键 零部件及耗材的工艺需 求分析，完成相关市场调 研； 已完成相关资源筹备与 团队组建，完成项目立 项； 抛光头、气膜、保持环、 主轴、砂轮等关键零部件 及耗材进入研发设计阶 段。
4-1构建覆盖研发全流程 的信息化管理系统 包括项目管理、协同设计、 试验数据管理等子系统。 开展 AI技术在装备研发 中的应用攻关，开发基于 AI的工艺参数优化、故障 预警及性能仿真模型，形 成成熟的 AI研发辅助应 用体系，提升研发效率与 产品性能迭代速度。
公司已建成覆盖 研发全链条的数 字化系统矩阵，包 括 PLM、PDM、 ERP、MES及 PMS 等核心系统。
已确定项目总体实施方 案和路线，完成项目立项 和总体方案设计； 已完成各系统基础数据 集成接口开发，PLM、 PDM、ERP、MES、PMS 等系统详细实施方案优 化中。
4-1-2 基于 AI多模 态大模型的装备研 发工艺自优化、性 能预测与故障预警 一体化系统开发
公司在下游产线 端已部署的大量 设备，有大量设备 原始数据可支撑 工艺大数据采集 分析，可依托分析 结果从设备健康， 设备维护，工艺优 化，WPH优化，节 能增效等方面给 出优化建议。
项目已完成 CMP等集成 电路装备 AI应用场景分 析； 已完成相关资源筹备与 团队组建，完成项目立 项； 装备数据采集系统和 设备正常运行数据大模型分 析同步开发设计中。
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